ベース接地時の電流増幅率とエミッタ接地時の電流増幅率の関係式をプロットしたいだけ

この記事ではnpn型トランジスタを前提としています。

トランジスタをベース接地したときの電流増幅率 とエミッタ接地ときの電流増幅率 には次式のような関係があります。*1

次の図はグラフを の範囲でプロットしたものです。 からに近づくに連れて、エミッタ接地時の電流増幅率が大きくなっていくことが確認できます。

実際のトランジスタではベース接地時の電流増幅率 はより少し小さいくらいになります。 ということで、グラフの の範囲を拡大したものが次のグラフです。（縦軸を対数にしています）

拡大（縦軸が対数）

秋月電子で売っているこのトランジスタではエミッタ接地時の電流増幅率が最大でとなっています。 グラフから、このトランジスタをベース接地したときの電流増幅率は約であることが読み取れます。

*1:ベース接地のときはエミッタが入力、コレクタが出力となるので、 です。 エミッタ接地のときにはベースが入力、コレクタが出力となるので、です。 ベース電流、コレクタ電流、エミッタ電流の間にはという関係が成り立ちます。 これをと変形し、 を書き換えると、となります。 右辺の分母と分子をで割ることで、の関係が導かれます。